1、介質(zhì)阻擋放電是把絕緣介質(zhì)插入放電空間的一種非平衡態(tài)氣體放電，其阻擋介質(zhì)通常為玻璃、聚四氟乙烯、陶瓷等絕緣材料，有效抑制氣隙內(nèi)電流的無限增長，避免放電過渡到火花放電。其可以在高氣壓和寬頻率范圍內(nèi)工作，產(chǎn)生大體積、高能量密度的低溫等離子體，且不需要真空設(shè)備就能在室溫或接近室溫條件下獲得活性粒子。

研究實例：DBD技術(shù)有重要的環(huán)保價值，在放電過程中會產(chǎn)生大量化學(xué)性質(zhì)活躍的自由基和準(zhǔn)分子，它們和其它原子、分子或其它自由基發(fā)生反應(yīng)，形成穩(wěn)定的原子或分子?？衫迷撎匦蕴幚韽U氣，降解污染物、殺菌消毒燈。DBD可用于材料表面改性等方面，作用深度范圍材料表面幾納米-幾百納米，能在不影響基體性能的前提下改善材料表面的物理化學(xué)性能。DBD可用于制成準(zhǔn)分子輻射光源，如紫外準(zhǔn)分子燈、無汞熒光燈、等離子體顯示屏等。

2、彌散放電是通常在極不均勻電場中產(chǎn)生的，介于電暈和火花放電之間的，大面積高密度的穩(wěn)定放電形式。其表現(xiàn)為從強(qiáng)場處產(chǎn)生的等離子體通道相互交疊，并貫穿兩極，但未形成火花通道，具有類似大面積輝光放電的特征。整個放電氣隙內(nèi)無任何阻擋介質(zhì)，由電源直接驅(qū)動兩極形成。

研究實例：彌散放電具有電子密度大、能量效率高和可產(chǎn)生大面積低溫等離子體的特點，有利于提高等離子體活性，因此在等離子體助燃、材料表面改性等方面呈現(xiàn)廣闊的應(yīng)用前景。大氣壓下，有許多實現(xiàn)彌散放電的方法：外加電源的預(yù)電離、預(yù)熱氣體、氣體流量的輔助作用等。在等離子體特征阻抗和電流密度等參數(shù)、彌散放電產(chǎn)生機(jī)制、大面積均勻放電的應(yīng)用基礎(chǔ)探索等方面仍有很大的研究空間。

3、微放電效應(yīng)是發(fā)生在兩個金屬表面之間或者是單個介質(zhì)表面上的一種真空諧振放電現(xiàn)象，其通常在空間微波系統(tǒng)中產(chǎn)生，由部件中傳輸?shù)纳漕l電場所激發(fā)，在射頻電場中被加速而獲得能量的電子撞擊表面產(chǎn)生二次電子而形成。微放電的放電特性可以用在一些特定的電子技術(shù)中，如電子槍技術(shù)、等離子體技術(shù)、電子開關(guān)技術(shù)等。

隨著空間技術(shù)的發(fā)展，空間系統(tǒng)電子部件工作頻率越來越高，一些重要射頻部件如諧振腔、射頻窗和空間耦合器、放大器等的微放電現(xiàn)象成為研究的熱點。微放電在空間真空高功率環(huán)境下，易導(dǎo)致諧振類設(shè)備失諧，使微波信號失調(diào)，或?qū)υO(shè)備表面產(chǎn)生慢性電蝕，導(dǎo)致設(shè)備失效等，因此需要采取合理的措施抑制微放電現(xiàn)象。